開発されたD帯のパワーアンプ
日本電気株式会社（NEC）は、Beyond5G/6Gの無線通信を実現するための150GHz帯のパワーアンプ（増幅器）を開発したと発表した。出力電力は10mWで、同社によれば150GHz帯で世界最高の出力だという。
Beyond5G/6Gでは、現在の5Gよりも高速な100Gbps級の高速大容量通信が期待され、そのためには10GHz以上の周波数帯域が確保できるサブテラヘルツ帯（100～300GHz）のうち、固定無線通信用に国際的に割り当てられているD帯（130～174.8GHz）の早期実用化が期待されている。今回の150GHz帯のパワーアンプはその周波数に対応するものとなるという。
開発したパワーアンプは、量産実績のある0.1-μm ガリウムヒ素（GaAs）pHEMT（疑似格子整合 高電子移動度トランジスタ）プロセスを採用。CMOSやシリコンゲルマニウム（SiGe）と比較すると、高耐圧な特性があり、量産時のイニシャルコストを抑制できるという。さらに回路設計の工夫で110～150GHzの特性が優れ、GaAs pHEMTとしては世界最高の出力電力を有するパワーアンプになっているという。
本パワーアンプについて、同社では、100GHz超帯の無線通信装置の高性能化、低コスト化を実現し、Beyond 5G/6Gの社会実装を加速するものだとして、早期の装置開発を目指すとしている。
本研究は、総務省委託研究「電波資源拡大のための研究開発(JPJ000254)」の成果の一部。本技術の詳細は、1月22日から米国・ネバダ州ラスベガスで開催される国際会議「IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications（PAWR2023）」で発表される。
